Huỳnh quang tán xạ năng lượng (ED-XRF) dựa trên detector và các bộ phận điện tử kết nối detector nhằm phân giải các đỉnh phổ do các tia X có năng lượng khác nhau. Mãi cho đến tận những năm 1960 và đầu những năm 1970, các thiết bị điện tử đã phát triển đến mức các máy dò có độ phân giải cao, như lithium silic, Si (Li), có thể chế tạo được và lắp đặt thương mại. Máy tính dùng cho ED-XRF khi đó còn lớn bằng cả bản thân thiết bị.
Phần cứng :
ED-XRF tương đối đơn giản và rẻ tiền so với các kỹ thuật khác. Nó đòi hỏi và nguồn tia X, mà trong hầu hết các thiết bị thí nghiệm là một ống tia X 50 - 60 kV và 50-300 W. Các model cầm tay hoặc để bàn chi phí thấp có thể sử dụng đồng vị phóng xạ như Fe-55, Cd-109, Cm-244, Am-241 của Co-57 hoặc ống x-ray nhỏ. Thành phần chính thứ hai là detector, thiết bị này được thiết kế để tạo ra xung điện thay đổi theo năng lượng của tia X. Hầu hết các tiết bị ED-XRF trong phòng thí nghiệm vẫn sử dụng đầu dò làm lạnh bằng nitơ lỏng hoặc đầu dò Si (Li) làm lạnh bằng Peltier, trong khi các thiết bị để bàn benchtop thường có bộ đếm tỷ lệ, hoặc thiết bị dò diod PIN làm lạnh bằng Peltier đời mới, nhưng các đầu dò iodide natri (NaI) thì rất phổ biến. Một số thiết bị cầm tay sử dụng các đầu dò khác khác như Iodide thủy ngân, CdTe và CdZnTe bổ xung cho các thiết bị diode PIN phụ thuộc nhiều vào năng lượng tia X của các nguyên tố quan tâm. Công nghệđầu dò phát triển nhanh nhất và gần đây nhất thì đầu dò silicon làm mát bằng Peltier (SDD) đã được trang bị cho cácthiết bị EDXRF phòng thí nghiệm.
Sau nguồn và đầu dò thành phần quan trọng tiếp theo là các bộ lọc ống x-ray, chúng có sẵn trong hầu hết các thiết bị ED-XRF. Chúng có chức năng là hấp thụ truyền một số năng lượng của nguồn tia X nhiều hơn thứ khác để giảm số count trong khu vực quan tâm trong khi đó tạo ra một đỉnh phổ thích hợp nhất của nguyên tố trong vùng quan tâm. Bia thứ cấp là một thay thế cho các bộ lọc. Vật liệu trong bia thứ cấp được kích thích bởi các tia X sơ cấp từ ống tia X, và sau đó phát ra các tia X thứ cấp có đặc trưng của thành phần nguyên tố của bia. Trường hợp các mục tiêu thứ cấp áp dụng cho nền thấp hơn và kích thích tốt hơn so với bộ lọc nhưng yêu cầu cường độ tia X chính xấp xỉ gấp 100 lần. Một hình thức đặc biệt của các bia thứ cấp là các bia phân cực. Phân cực XRF tận dụng nguyên lý khi tia Xtán xạ khỏi bề mặt chúng bị phân cực một phần. Bia và mẫu được đặt trên trục vuông góc để giảm thiểu sự phân tán và do đó là là giảm thiểu nhiễu nền tại đầu dò.
Các bộ lọc đầu dò di động hoặc cố định, tận dụng lợi thế của các nguyên tắc XRF không phân tán, đôi khi được bổ xung vào các thiết bị ED-XRF để cải thiện thêm độ phân giải hoặc độ nhạy hiệu quả của thiết bị tạo thành thiết bị lai EDX / NDX.
Ứng dụng :
ED-XRF có thể được sử dụng cho rất nhiều ứng dụng phân tích nguyên tố. Nó có thể được sử dụng để đo lường hầu như mọi nguyên tố từ Na đến Pu trong bảng tuần hoàn, với nồng độ khác nhau, từ vài phần triệu (ppm) đến gần 100 phần trăm ( 100 %). Nó có thể được sử dụng để theo dõi các thành phần chính trong một sản phẩm hoặc quá trình hoặc bổ sung các phụ gia nhỏ. Bên cạnh đó XRF rất phổ biến trong lĩnh vực địa chất, các công cụ ED-XRF thường được sử dụng cùng với các công cụ WD-XRF để đo các thành phần chính và phụ trong mẫu địa chất.
Công ty TNHH Thiết Bị Kỹ Thuật TLT tự hào là một trong những công ty tiên phong đi đầu có chất luợng và uy tín chuyên về tư vấn và lắp đặt hệ thống thiết bị Huỳnh quang tán xạ năng lượng (ED-XRF). Quý khách hàng quan tâm có thể liên hệ trực tiếp theo địa chỉ sau:
CÔNG TY TNHH THIẾT BỊ KỸ THUẬT TLT
VP Hà Nội:Tầng 7 tòa nhà 188, đường Trường Chinh, quận Đống Đa, thành phố Hà Nội